InGaAs/GaAs lasers on Silicon produced by LEPECVD and MOCVD

Data di pubblicazione

05-12-2003

Codice

FI.03.021.A

Stato

Ceduto

Data di priorità

05-09-2003

Fase

Internazionale

Dipartimento

DIPARTIMENTO DI FISICA

Autori

Hans Von kaenel, Guillaume jacques Saint-girons Isabelle Sagnes, Sophie Bouchoule

Descrizione

L'invenzione riguarda metodi per produrre laser, in particolare InGaAs laser, su un substrato di silicio, dove la regione attiva del laser contiene uno strato di semiconduttore strained. il preocesso include una combinazione di tecniche.

Vantaggi

<p>La fabbricazione di VS è molto più veloce grazie agli alti ritmi di crescita del LEPECVD, oltre i 10nm/s, e grazie all'assenza del processo di raffinamento chinico-ohmico. Mediante LEPECVD, l'indesiderata deposizione di Ge sul retro del wafer di Si è trascurabile rispetto all'utilizzo di UHV-CVD. Unitamente al processo LT-ALE, questo porta ad un trascurabile autodrogaggio nel reattore MOCVD. In questo processo vengono evitate dislocazioni imperfette all'interfaccia InGaAs/GaAs del laser favorendo l'azione del laser in strutture quantum well, "stirate" per compressione </p>

Contatto

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