Dipartimento di Fisica
Franco Ciccacci
Tramite epitassia da fasci molecolari (Molecular Beam Epitaxy, MBE) vengono cresciuti, in condizioni di ultra alto vuoto su substrati monocristallini, nanostrutture, film ultrasottili, multistrati, con controllo atomico delle condizioni di crescita. Ciò viene realizzato per vari sistemi, di interesse sia fondamentale che applicativo, quali film con accoppiamento antiferromagnetico, film sottili di ossidi, interfacce ferromagnete/semiconduttore e multistrati di terre rare e metalli di transizione. I campioni cresciuti sono caratterizzati con diagnostiche in-situ quali la diffrazione con elettroni lenti (low energy electron diffraction, LEED), le spettroscopie Auger e a raggi-X e le tecniche basate sull’effetto Kerr magnetoottico. Quest’ultima tecnica viene usata anche con risoluzione spaziale e a temperatura variabile (fino a 10 K) per lo studio delle fluttazioni statistiche del processo di isteresi magnetica.
Attività di certificazione
Laboratorio metrologico per la misura di basse pressioni operante in
ambito SIT (Servizio Italiano Taratura) e aderente al Centro Qualità
di Ateneo. Si effettuano tarature di strumenti per la misura delle basse
pressioni nell’intervallo tra 10-4 e 105 Pa.
Sistema UHV per preparazione superficiale e deposizione film sottili mediante Molecular Beam Epitaxy, con LEED, XPS, sorgente di elettroni polarizzati e spettrometro per fotoemissione inversa; MOKEApparecchiatura per misure a effetto Kerr a temperatura variabile con risoluzione spaziale.