Eterostrutture e nanostrutture su silicio

Dipartimento

Dipartimento di Fisica

Responsabile

Franco Ciccacci

Attività sperimentali

Eterostrutture e nanostrutture epitassiali su Silicio per applicazioni in micro-elettronica e optoelectronica. Sintesi di tali strutture mediante diverse tecniche complementari: epitassia da fasci molecolari (MBE), epitassia da magnetron sputtering (MSE), deposizione da vapore assistita da plasma a bassa energia (LEPECVD). Ricerche di tipo fondamentale su eterostrutture a semiconduttore con bassa dimensionalità, come buche e punti quantici in Si-Ge, studiate in situ con tecniche a scansione (microscopia a scansione ad effetto tunnel), ed ex-situ mediante caratterizzazione strutturale ed elettrica. La ricerca applicata è centrata su dispositivi in Si-Ge ad alta velocità, componenti optoelettronici integrati e celle solari ad alta efficienza su Si.

Attrezzature

3-inch VG V80 Si molecular beam epitaxy (MBE) machine with in situ scanning tunneling microscope (STM), 3-inch UHV magnetron sputter epitaxy system with in situ Omicron STM, 4-inch and 8-inch low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition (LEPECVD) system, EPI GEN II MBE machine for III/V’s, Leybold L560E e-beam evaporator, Xray diffractometer, Park Scientific M5 atomic force microscope (AFM), ZEISS optical microscope, liquid helium cryostat with 7 T magnet, Keithley current sources and nanovoltmeters for I-V measurements, Class 1000 clean room, scanning electron microscope for e-beam lithograpay and reactive ion etching.